半导体装置的制造方法、半导体晶圆及半导体装置

本揭示涉及一种半导体装置的制造方法、半导体晶圆及半导体装置。本揭示的目的在于提供一种能精度良好地测定晶圆上的上下层的位置偏移的半导体装置的制造方法。本揭示的半导体装置的制造方法包含：第1工序，在晶圆的主面形成第1层，所述第1层形成着用来测定光阻剂相对于半导体元件用的第1元件图案的位置偏移的基准标记；第2工序，以被覆基准标记及第1元件图案的方式，在第1层上形成光阻剂；第3工序，通过将光阻剂曝光、显影，使用光阻剂形成俯视时与基准标记重叠的位置偏移判定图案、俯视时包围位置偏移判定图案的周围图案、及半导体元件用的第2元件图案；及第4工序，通过测定位置偏移判定图案相对于基准标记的相对位置，而判定第2元件图案相对于第1元件图案的位置偏移。