一种半导体结构及其制备方法

本发明公开一种半导体结构及其制备方法，包括P+单晶片、形成于所述P+单晶片上方的第一N‑区、第二N‑区以及第一N+区，所述第一N‑区上方设有第三N‑区，所述第二N‑区上方设有第四N‑区，所述第一N+区上方设有第五N‑区，所述第三N‑区上方设有第六N+区，所述第四N‑区上方设有第七N+区，所述第五N‑区上方设有P+区，所述第六N+区、第七N+区、有P+区上方设有介质层，所述第一N+区两侧设有第一槽和第二槽，所述第一槽和第二槽从所述介质层下方延伸至第一N+区，所述P+单晶片下方设有第一金属层，所述介质层上方设有第二金属层。该半导体结构在芯片面积不变的条件下，通过合理的结构和工艺设计，获得更高的ESD抗干扰能力，更低的制造难度，更稳定一致的参数。