一种硅光芯片光耦合测试实现方法及装置、存储介质

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一种硅光芯片光耦合测试实现方法及装置、存储介质
申请号:CN202510346707
申请日期:2025-03-24
公开号:CN119880370B
公开日期:2025-07-25
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种硅光芯片光耦合测试实现方法,涉及硅光芯片测试技术领域。本发明的硅光芯片光耦合测试实现方法,能够在入射波导装置与出射波导装置分别和目标硅光芯片实现粗匹配之后,周期性调整入射波导装置中的入射激光波长,获取入射激光波长周期性变化时出射波导装置中的出射激光功率变化信息,该出射激光功率变化信息能判断是否耦合成功,也可以用于分析得到第一位置调整方案,从而使得无需再通过不断地试错就能找到正确的调整方向,通过不断地反馈微调最终实现入射波导装置与硅光芯片之间的光耦合。本发明具有更快的耦合速度,减少了硅光芯片光耦合测试的用时。
技术关键词
波导装置 硅光芯片 激光 波长 功率 周期性 可执行程序代码 曲线 计算机存储介质 入口 偏差 规划 存储器 横轴 模块 处理器 直线
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