半导体缺陷根因分析方法及装置

本发明涉及半导体缺陷根因分析方法及装置，方法包括：获取半导体生产过程中的基础特征数据和对应的缺陷数据；所述基础特征数据至少包括以下之一：设备状态数据、配方数据、实时数据；基于所述基础特征进行特征融合，得到融合特征；所述融合特征包括交互特征，所述交互特征为至少两种基础特征之间的组合所确定的特征；以所述基础特征和所述融合特征作为样本特征，以所述缺陷数据作为标签，训练得到缺陷分类模型；使用SHAP分析工具对所述缺陷分类模型进行特征重要性分析，得到重要性排名靠前的若干目标特征，作为第一总体缺陷根因。