一种微米级芯片巨量转移和自键合制备方法

本发明涉及一种微米级芯片巨量转移和自键合制备方法，属于集成电路和光电显示技术领域。微米级芯片具备特殊结构，与之键合的目标基板具备承接对应微米级芯片的特殊结构阵列，通过外力驱动下使得微米级芯片与目标基板上对应微米级芯片的特殊结构阵列实现自生长互联并达到自键合的目的。本发明方法可实现物理结构键合牢固并具备良好的电性连接，芯片自键合制备过程可实现微纳米级高精度对位。