电子束斑的片上表征方法

本发明公开了一种电子束斑的片上表征方法，属于微纳加工技术领域。本方法通过制造束斑表征芯片，使用电子束在芯片的悬空薄膜测试区上以不同曝光剂量写入测试版图图形，获取多组曝光重叠数据；建立驻留时间、曝光重叠与光刻胶灵敏度的函数关系，并进行非线性最小二乘法拟合得到束斑高斯函数的参数；将得到的参数代入电子束斑高斯函数中，得到电子束斑的尺寸和剂量分布。本方法操作简单，与电子束光刻工艺环境兼容性好，准确度高。