摘要
本发明公开了一种单晶氧化镓的激光水下激光切割方法,包括:S1,根据待加工氧化镓晶片的三维模型,控制单元对三维模型进行切片获得多个切片层,对于每个切片层,设定激光加工单元相应的扫描路径、加工工艺参数;S2,控制单元对液体处理单元设定流速;S3,控制单元控制激光加工单元开始加工,控制单元控制液体处理单元开始进行高速旋转,使得液体发生高速的流动,对样品表面的产物进行冲刷;S4,控制单元控制激光加工单元按照预设的扫描路径对氧化镓进行激光切割,由此完成单个切片层的切割;S5,控制单元控制激光加工单元下降一个切片层的厚度,重复步骤S3‑S4,直至完成所有切片层的加工。实现了更加优异的加工质量。
技术关键词
液体处理单元
激光切割方法
控制单元
氧化镓晶片
水下激光切割装置
样品固定装置
光学扫描元件
单晶
聚焦光学元件
切片
三维模型
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