一种用于增粘单元的光刻胶均匀性评估方法

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一种用于增粘单元的光刻胶均匀性评估方法
申请号:CN202411008469
申请日期:2024-07-26
公开号:CN118549466B
公开日期:2024-11-15
类型:发明专利
摘要
本申请涉及半导体光刻胶检测技术领域,具体涉及一种用于增粘单元的光刻胶均匀性评估方法,该方法包括:采集晶圆光刻胶涂覆图像,确定各光刻胶区域的边界连通桥联评估系数,计算各光刻胶区域的边界中心色差偏移系数及最值偏差系数,基于此确定掩膜潜在变异系数;基于掩膜潜在变异系数及中心像素点的位置确定桥联位置权重,以计算各光刻胶区域内每个像素点的窗口判定系数,最终计算自适应窗口边长,利用局部阈值分割算法,提取桥联变异区域,对光刻胶均匀情况进行判定。本申请可解决传统局部阈值分割算法中固定窗口分割时造成的误差和干扰,提高对桥联缺陷的检测精度,提高对光刻胶均匀性评估的准确性。
技术关键词
像素点 均匀性评估方法 阈值分割算法 序列 图像分割算法 掩膜 色差 半导体光刻胶 晶圆光刻胶 光刻胶涂覆 边缘检测算法 衬底薄膜 晶圆衬底 偏差 方形 指数 分子
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