一种用于金属氧化物半导体场效应晶体管热管理的相变传热系统及模拟检测方法

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一种用于金属氧化物半导体场效应晶体管热管理的相变传热系统及模拟检测方法
申请号:CN202411015907
申请日期:2024-07-26
公开号:CN119092473A
公开日期:2024-12-06
类型:发明专利
摘要
一种用于金属氧化物半导体场效应晶体管热管理的相变传热系统及模拟检测方法,该系统包括系统容器,所述的系统容器上设置有多个鳍片,所述的多个鳍片形成第一容置腔和第二容置腔,所述的第二容置腔上形成有第三容置腔;所述的第一容置腔和第二容置腔内设置有相变材料,所述的第三容置腔内设置有金属氧化物半导体场效应晶体管,所述的金属氧化物半导体场效应晶体管四周侧壁和底面被所述的第三容置腔包覆;本申请的方案具有添加PCM和鳍片提高热管理潜力,从而提高芯片散热性能的优点。
技术关键词
金属氧化物半导体场效应晶体管 传热系统 系统容器 热管理 模拟检测方法 模拟测试方法 相变材料 鳍片 热传递模型 方程 长方形 连续性 代表 铜片 松弛 网格 因子 软件 数值 加速度
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