一种具有小水平发散角的半导体激光芯片及制备方法

本发明提出了一种具有小水平发散角的半导体激光芯片及制备方法，涉及半导体激光器芯片领域，包括由下至上依次堆叠的衬底层、n型包层、n型波导层、有源区、p型波导层、p型包层、p型限制层以及p型接触层，其中，所述p型限制层包括至少两个电流阻断层和导电介质层，所述导电介质层上沿所述激光芯片的长度方向开设有至少两个呈相对且间隔设置的阻断槽，所述至少两个电流阻断层分别设置于对应的阻断槽内，所述p型限制层用于调节相邻两个所述电流阻断层之间形成的载流子注入区的形成位置，以抑制电流在所述p型限制层中的横向扩散。本发明有助于提升激光器输出功率和光束质量。