光电探测器以及光电探测器的制备方法

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光电探测器以及光电探测器的制备方法
申请号:CN202410958495
申请日期:2024-07-17
公开号:CN118538739B
公开日期:2024-10-01
类型:发明专利
摘要
本公开芯片探测技术领域,特别涉及一种光电探测器以及光电探测器的制备方法。光电探测器包括:外延层、第一雪崩二极管和第二雪崩二极管、波导隔离层、第一楔形凹槽和第二楔形凹槽;第一条形波导、第二条形波导和环形波导,均形成于波导隔离层远离外延层的一侧;第一条形波导位于环形波导的输入端,第二条形波导位于环形波导的输出端;部分第一条形波导经过第一楔形凹槽,部分第二条形波导经过第二楔形凹槽。本公开的技术方案,可实现环形谐振腔探测器的小型化设置,同时有利于降低设计成本。
技术关键词
波导 雪崩二极管 光电探测器 外延 凹槽 环形谐振腔 输入端 输出端 光源 芯片
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