高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法

本公开公开了一种高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。高电子迁移率晶体管芯片包括衬底，以及依次叠设在衬底一面的复合缓冲层和外延层；复合缓冲层包括多个子缓冲层，各子缓冲层依次叠设，子缓冲层包括AlN子层和GaN子层，GaN子层位于AlN子层背向衬底的一面，GaN子层中掺杂有碳元素。本公开实施例能够在保证缓冲层的高阻特性的基础上，提升高电子迁移率晶体管芯片的晶体质量。