一种双面散热半桥功率器件

本发明公开了一种双面散热半桥功率器件，包括上桥IGBT芯片、上桥FRD芯片、下桥IGBT芯片、下桥FRD芯片；所有上桥IGBT芯片的集电极与所有上桥FRD芯片的阴极分别通过第一连接层与第一上铜层连接；所有下桥IGBT芯片的发射极与所有下桥FRD芯片的阴极分别通过第二连接层与第二上铜层连接；所有上桥IGBT芯片的发射极与所有上桥FRD芯片的阳极分别通过一第一垫片连接至导流柱下表面，所有下桥IGBT芯片的集电极与所有下桥FRD芯片的阴极分别通过一第二垫片连接至导流上表面，实现上下桥的电气连接。本发明能够解决现有双面散热模块存在的电流密度无法进一步提升，以及各回路寄生电感不一致的问题。