一种基于银纳米颗粒-二氧化钛薄膜复合结构的超大尺寸表面增强拉曼芯片制备方法

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一种基于银纳米颗粒-二氧化钛薄膜复合结构的超大尺寸表面增强拉曼芯片制备方法
申请号:CN202411020100
申请日期:2024-07-29
公开号:CN118961674A
公开日期:2024-11-15
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于银纳米颗粒‑二氧化钛薄膜复合结构的超大尺寸表面增强拉曼芯片制备方法,涉及纳米科学技术领域;包括:加工晶圆级衬底;采用溶胶‑凝胶法制备二氧化钛溶胶溶液;利用提拉技术或旋涂法,通过控制提拉速率或旋涂转速,在晶圆级衬底上获得厚度可控、均一的二氧化钛薄膜,继而进行热退火处理;利用紫外光管阵列垂直照射浸渍于硝酸银溶液中的晶圆级二氧化钛薄膜衬底,通过控制光照时长,在二氧化钛薄膜衬底表面可控沉积银纳米颗粒,从而实现超大尺寸(米级)银纳米颗粒‑二氧化钛薄膜复合结构基SERS芯片制备。本方法解决了现有技术中难以实现超大尺寸、成本低廉、灵敏度高的SERS芯片可控制备的技术挑战。
技术关键词
二氧化钛薄膜复合 SERS芯片 银纳米颗粒 超大尺寸 二氧化钛溶胶 提拉技术 拉曼芯片 紫外灯管 溶液 表面可控沉积 磁力搅拌器 控制光照时间 提拉镀膜机 纳米科学技术 凝胶法 柔性衬底 阵列 乙酰丙酮
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