多颗MOSFET管集成的分立器件测试方法

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多颗MOSFET管集成的分立器件测试方法
申请号:CN202411021052
申请日期:2024-07-29
公开号:CN118884181A
公开日期:2024-11-01
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种多颗MOSFET管集成的分立器件测试方法,包括步骤:提供被测试裸芯片,被测试裸芯片为由多颗MOSFET管集成的分立器件且具有m个衬垫并用于实现逻辑功能。将多同测机台中的n个初始测试位合并为一个新测试位,3n大于等于m。设置和新测试位相对应的新针卡,新针卡中的探针根据和m个衬垫的位置进行设置,且各探针都位于一个针卡通道上。将新针卡和被测试裸芯片的各衬垫连接并实现对被测试裸芯片的测试。本发明能采用单针卡单次测试实现对分立器件中的各MOSFET管的测试,能节约针卡成本并避免部分衬垫重复扎针,还能提高测试效率。
技术关键词
分立器件测试方法 衬垫 芯片 电压 测试模块 通道 探针 板卡 电阻 逻辑开关 栅极 机台 信号源 接地端 资源 电极 程序 电路
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