发光二极管芯片及其制备方法

AITNT
正文
推荐专利
发光二极管芯片及其制备方法
申请号:CN202411023560
申请日期:2024-07-29
公开号:CN119153604A
公开日期:2024-12-17
类型:发明专利
摘要
本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法,属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括外延层和防水膜;防水膜包括中间层和疏水层,中间层为硅的氧化物层,中间层覆盖在外延层外,疏水层为含氟硅烷层,疏水层覆盖在中间层背向外延层的一面。本公开可以有效的提高发光二极管芯片的防水能力。
技术关键词
发光二极管芯片 半导体层 中间层 外延 防水膜 欧姆接触层 二氧化硅颗粒 硅烷 凹槽 电极 氟化物 真空 速率 加热 常温
系统为您推荐了相关专利信息
1
基于三明治解码网络的水体语义分割方法、系统及可读存储介质
语义分割方法 三明治 解码网络 解码器 水体
2
基于条件风险价值的供应链韧性优化与恢复方法及系统
条件风险价值 变量 决策 设施 恢复方法
3
一种LED外延片及其制备方法、LED芯片
LED外延片 半导体层 交叠结构 LED芯片 发光层
4
一种高稳定性卫星接收机
印制板组件 卫星接收机 基带处理单元 电源管理单元 压电传感器
5
一种用于状态空间模型推理的FPGA加速器及其计算方法
状态空间模型 模块 加速器 AXI接口 人工智能硬件加速
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号