一种LED外延片及其制备方法、LED芯片

本发明提供一种LED外延片及其制备方法、LED芯片，属于半导体器件领域，其中LED外延片包括N型半导体层、应力释放层和发光层，所述发光层为周期性交叠结构，包括第一发光子层和第二发光子层，所述第一发光子层包括依次层叠设置的AlxGa（1‑x）N层、InGaN层和所述AlxGa（1‑x）N层，所述第二发光子层为GaN层，所述第一发光子层的厚度小于所述第二发光子层的厚度，所述AlxGa（1‑x）N层的厚度小于所述InGaN层的厚度，0＜X＜1，所述AlxGa（1‑x）N层中Al组分的百分比为10%‑90%。本发明中的LED外延片解决了现有技术中的LED外延片的发光效果差的问题。