一种超低温烧结陶瓷材料及其制备方法和应用

本申请涉及低温烧结陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种超低温烧结陶瓷材料及其制备方法和应用。本申请的超低温烧结陶瓷材料以Al2O3、AlN、SiC等为原材料，通过H3BO3作为烧结助剂，经球磨、干燥、过筛、研磨、二次保压的100℃以下的超低温烧结，制备获得超低温烧结陶瓷材料，并应用于硅基芯片的封装。本申请的原材料易获取，工艺简单，通过将H3BO3作为烧结助剂，利用H3BO3颗粒在单轴压力下可产生塑性形变的性质，通过施加压力，实现在25～100℃的超低温条件下使陶瓷材料完成致密化，并能够与硅基芯片共烧，形成具有良好品质因数、适宜的介电常数、优良的热导率的复合陶瓷材料，可应用于半导体封装、LTCC器件或ULTCC器件等。