摘要
本公开提供了一种漏电抑制方法和装置,可以应用于非易失性存储器技术领域。该漏电抑制方法包括:将待存储数据输入目标神经网络,输出字线偏移地址,其中,字线偏移地址是与待存储数据中的数据状态值对应的最能抑制快闪存储器中相邻字线彼此之间漏电的地址;从快闪存储器的预存字线地址中确定字线基地址;基于字线基地址和字线偏移地址,从快闪存储器的字线中确定目标字线;通过使用目标字线将数据状态值写入快闪存储器的存储单元,来抑制漏电。
技术关键词
存储单元
数据
样本
写入快闪存储器
长短期记忆网络
因子
半监督学习
存储器技术
输入模块
标签
电压
参数
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