一种高反射率的LED芯片及其制备方法

本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种高反射率的LED芯片及其制备方法，制备方法包括(1)提供一衬底，在衬底上生长外延层，并进行MSA处理形成刻蚀台阶；(2)在表面依次沉积电流阻挡材料、电流扩展材料，刻蚀形成预设形状的电流阻挡层、电流扩展层；(3)在表面涂覆光刻胶，并通过黄光工艺将光刻胶图形化，随后依次沉积光反射材料和金属电极材料，最后去胶清洗，形成预设形状的光反射层和金属电极层；(4)在表面沉积钝化材料，并刻蚀形成预设形状的钝化层。实施本发明中的制备方法制备得到的LED芯片具有高反射率，提高了LED芯片的发光亮度，而且将反射层和金属电极层在同一道图形化的光刻胶内沉积制备，极大地提高了芯片制造良率和可靠性。