一种引线框架镀银层去除及其键合方法

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一种引线框架镀银层去除及其键合方法
申请号:CN202411034020
申请日期:2024-07-30
公开号:CN118969629A
公开日期:2024-11-15
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种引线框架镀银层去除及其键合方法,引线框架镀银层去除方法包括:S1,根据键合图,确定引线框架表面需要保留的镀银层键合区域;S2,对引线框架表面除镀银层键合区域外的镀银区域进行激光烧蚀;S3,对S2得到的引线框架进行去氧化处理,然后进行清洗。本发明按照封装键合图所需的键合面积确定预留的镀银层键合区域,通过激光烧蚀的方法对预留的镀银层键合区域之外的其他镀银区域进行烧蚀,去除非必要的镀银区域,实现定制化镀银区域引线框架的制备,达到点区域镀银框架的效果。本发明在快速、简易实现普通载体全镀银、环镀银引线框架变为点区域镀银框架的同时,降低传统点区域镀银框架定制化属性强、成本高、周期长等问题。
技术关键词
引线框架 激光烧蚀 键合方法 溶液 硫酸钠 芯片 长方形 尺寸 波长 载体 速率 功率
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