PSRAM设备的读写方法、芯片及电子设备

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PSRAM设备的读写方法、芯片及电子设备
申请号:CN202411035870
申请日期:2024-07-31
公开号:CN118819421B
公开日期:2025-10-10
类型:发明专利
摘要
本申请实施例公开了一种PSRAM设备的读写方法、芯片及电子设备,涉及计算机领域。本申请利用半满信号和半空信号的触发,不仅有助于预防数据溢出和读空情况的发生,还可以优化数据传输和处理的效率,提高硬件资源的利用率。在实际应用中,合理利用这两个信号可以显著提升系统的性能和稳定性。
技术关键词
缓冲器 存储控制器 数据 读写方法 队列 信号 指令 芯片 电子设备 提升系统 协议 接口 关系
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