一种轴向超薄芯片产品制造方法

本申请涉及半导体分离器件生产的技术领域，具体公开了一种轴向超薄芯片产品制造方法。一种轴向超薄芯片产品制造方法，包括以下步骤：S1、晶圆片选择：选择电阻率为15‑23Ω*cm，厚度为220‑240μm的单晶片作为待处理晶圆片；S2、晶圆片处理：对待处理晶圆片进行正面研磨、预扩散、背面研磨、硼扩散、双面研磨、表面金属化、划片处理，得到中间晶圆片；S3、封装：将中间晶圆片经焊接、酸洗、上胶、固化、模压、老化、回流焊、二次老化处理，得到半成品二极管。本申请制备得到的二极管具有气孔小、尺寸薄、风险低、抗应力能力优异以及耐焊接热能力优异等优点。