负压大灌电流供电单元及TDICMOS成像系统的低负压供电方法

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负压大灌电流供电单元及TDICMOS成像系统的低负压供电方法
申请号:CN202411042746
申请日期:2024-07-31
公开号:CN118970862A
公开日期:2024-11-15
类型:发明专利
摘要
本发明涉及航天应用成像技术领域,尤其涉及一种负压大灌电流供电单元及TDICMOS成像系统的低负压供电方法,负压大灌电流供电单元包括第一正压供电LDO、第二正压供电LDO、负压供电LDO、模拟开关和DDR3供电芯片。本发明通过DDR3供电芯片实现大的灌电流,通过将DDR3供电芯片的接地端连接到负压供电LDO输出的负电压上,实现低压且是负压的灌电流,通过对正压供电LDO的使能管脚进行开关控制和对负压供电LDO的使能管脚进行开关控制,从而实现不同的电平转换;通过设计新的探测器的上电时序而避免出现大工作电流。
技术关键词
电源转换电路 管脚 成像控制器 模拟开关 供电单元 正压 供电方法 电压 芯片 探测器 数字电源 信号 大工作电流 时序 成像技术 接地端
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