一种半导体结构及其制备方法
申请号：CN202411051472
申请日期：2024-08-01
公开号：CN119092480A
公开日期：2024-12-06
类型：发明专利
摘要
本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，本申请的半导体结构，包括线路板以及设置于线路板上的并联组件，并联组件包括依次设置于线路板上的第二连接层、器件层和第一连接层，器件层上间隔设置多个晶体管以及至少一个开关元件，多个晶体管的栅极与开关元件在第一连接层内连接，多个晶体管的漏极在第一连接层内连接，多个晶体管的源极通过第二连接层与线路板连接。本申请提供的半导体结构及其制备方法，能够简化线路板的设计，并降低成本。
技术关键词
半导体结构
驱动控制芯片
晶体管
开关元件
线路板
栅极
端子
接线
电子元件
封装材料
MOS管
电流检测装置
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