基于铁电晶体管的全数字存内运算CMOS电路

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基于铁电晶体管的全数字存内运算CMOS电路
申请号:CN202511052497
申请日期:2025-07-29
公开号:CN120913613A
公开日期:2025-11-07
类型:发明专利
摘要
本发明设计并提出了多种基于铁电晶体管的全数字存内计算电路,属于集成电路领域。本发明设计了多种基于铁电晶体管的全数字存内计算电路,基于FEFET逻辑门结构,本发明可以将权重数据存储在计算电路中进行所有的布尔逻辑运算,对于突破冯.诺伊曼架构的“内存墙”和“功耗墙”具有重要意义。本发明提出的FEFET存内计算单元可以将相对固定的权重数据存储在计算电路中,减少了权重数据的反复传输,可以极大降低功耗;同时由于是全数字计算,不会牺牲多bit计算精度,能有效提高正确率,是应用于人工智能芯片和AI神经网络极具潜力的技术。
技术关键词
铁电晶体管 铁电电容 电压 CMOS反相器 网络 模式 逻辑门结构 人工智能芯片 数据存储 正确率 集成电路 节点 端口 内存 功耗
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