光电二极管的制备方法和光电二极管

本申请提出了一种光电二极管的制备方法和光电二极管，该方法包括：将P欧姆接触层刻蚀为P欧姆接触块；在当前表层生长扩散阻挡膜；在扩散窗口层形成扩散孔；执行Zn扩散处理，使第一区域形成高掺杂P+‑INP的扩散区；在当前表层生长抗反射膜；对P欧姆接触块以及P欧姆接触块临近的部分扩散区进行抗反射膜腐蚀处理，得到P窗口，P窗口的形状为块状；在P窗口处引出P电极，并在衬底层的外表面设置N电极，P电极的形状为块状，P电极所在的第二区域覆盖P窗口所在位置，第二区域与光电二极管的光敏面所覆盖的第三区域非环绕式相邻。本技术方案可将更多的面积释放给光敏面，若光敏面面积一定则可反向减小光电二极管的芯片尺寸。