一种多电子束并行光刻装备电子束聚焦结构及其制造方法

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一种多电子束并行光刻装备电子束聚焦结构及其制造方法
申请号:CN202411052151
申请日期:2024-08-01
公开号:CN118746910A
公开日期:2024-10-08
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种多电子束并行光刻装备电子束聚焦结构及其制造方法,专用MEMS微孔阵列单元为核心部件,其能够将入射在表面的电子束进行分束,大幅面扩展束流数量;通过高压ASIC控制芯片,利用传输线,将不同的电压加至专用MEMS微孔阵列旁边的金属膜层上;通过调整正面各金属/绝缘层之间的电压差,实现对入射电子束的聚焦、收束、偏转和投影等功能,最终能将束斑尺寸缩放至亚10纳米尺度,并能通过控制膜层数量灵活调整焦深,有利于电子光学系统的小型化。
技术关键词
光刻装备 电子束 聚焦结构 控制芯片 介质 电子光学系统 传输线 正面 光刻胶 高压BCD工艺 衬底 硅通孔侧壁 阵列结构 侧壁粗糙度 薄膜 台阶 基底
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