制造半导体结构的方法

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制造半导体结构的方法
申请号:CN202411058433
申请日期:2024-08-02
公开号:CN119447025A
公开日期:2025-02-14
类型:发明专利
摘要
本申请的实施例公开了一种制造半导体结构的方法,该方法包括从晶圆的第一布局中找出第一多个穿硅通孔,以及从第一多个穿硅通孔中找出第二多个穿硅通孔。第二多个穿硅通孔并联连接。将第二多个穿硅通孔合并为大穿硅通孔以产生晶圆的第二布局。
技术关键词
通孔 布局 半导体结构 保护环 焊盘 轮廓面积 集成电路 尺寸 芯片 物理
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