一种薄膜型环形器芯片及其制备方法

本发明属于薄膜型环形器芯片技术领域，具体涉及一种薄膜型环形器芯片及其制备方法。本发明提供的薄膜型环形器芯片，包括铁氧体基底，依次设置在所述环形器芯片的铁氧体基底表面的相容层、打底层、金属种子层和金属层；所述相容层包括FeCoNi合金层、FeCo合金层、FeNi合金层和CoNi合金层中的一层或多层。本发明在铁氧体基底的表面设置一层相容层，通过合理选择相容层的材料，使相容层与铁氧体基底的成分相似，提高相容层与铁氧体基底的附着力，从而最终提高金属层与铁氧体基底的附着力。由此，本发明提供的薄膜型环形器芯片经加热处理或者外力作用，金属层均未出现起泡、起皮和脱落的问题。