一种高压限流控制保护电路和半导体测试设备

本申请公开了一种高压限流控制保护电路和半导体测试设备，涉及电路设计领域。其中，第一N型MOS管的漏极与高压源供电端口相连，第一N型MOS管的源极与采样电阻的第一端相连并接地，第一N型MOS管的栅极与运算放大器的输出端相连；采样电阻的第二端与运算放大器的第一输入端和控制电路输出端口相连；运算放大器的第二输入端与隔离数模转换电路的第一端相连，运算放大器的供电端与低压隔离供电电路的第一端相连并接地。可见，本申请中采用低压隔离供电电路为其运算放大器供电，同时运算放大器、第一N型MOS管的连接关系中采用了隔离浮地技术，整体上可以降低运算放大器的选取规格，降低成本。