传感器芯片结构、传感器芯片制备方法及气体传感器

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传感器芯片结构、传感器芯片制备方法及气体传感器
申请号:CN202411067192
申请日期:2024-08-06
公开号:CN118604066B
公开日期:2024-10-18
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种气体传感器芯片结构、传感器芯片制备方法及气体传感器,该结构包括基底、电极组件和气敏膜;所述电极组件包括第一叉状电极和第二叉状电极,所述第一叉状电极和所述第二叉状电极均设置在基底上,所述第一叉状电极和所述第二叉状电极之间存在位面差;所述气敏膜设置在所述第一叉状电极和所述第二叉状电极之间,能够保证气敏膜维持较小体积的前提下,提高所述第一叉状电极和第二叉状电极的连接稳定性,降低气敏膜的厚度控制难度,同时提高响应速度。
技术关键词
叉状电极 传感器芯片结构 沉积金属薄膜 绝缘 基底 加热电路 导电丝 气体传感器 板状结构 电极组件 加热负载 上沉积 凹槽结构 错位
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