一种半导体装置及工艺测试方法

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一种半导体装置及工艺测试方法
申请号:CN202411068168
申请日期:2024-08-05
公开号:CN119008594B
公开日期:2025-07-22
类型:发明专利
摘要
本发明实施例公开一种半导体装置及工艺测试方法,涉及半导体技术领域,能够便于发现半导体装置制造中发生异常的工艺步骤,从而便于有针对性地对相关的半导体工艺进行改进。所述半导体装置包括:交替堆叠的至少一个导电层和至少一个介质层;每个所述导电层包括至少一个检测图形;每个所述检测图形包括彼此平行且间隔设置的两条导电线,其中每条所述导电线的两个端点分别通过金属引脚引出所述半导体装置。本发明可应用于半导体测试中。
技术关键词
半导体装置 导电线 工艺测试方法 导电层 包络 阵列 端点 参数 矩形 介质 半导体工艺 线段 芯片 电阻 瑕疵 电流 电容 多晶硅
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