面向集成电路早期设计阶段的热电耦合仿真方法

本发明公开了一种面向集成电路早期设计阶段的热电耦合仿真方法，涉及集成电路分析技术领域。包括：对工艺库中所有的标准单元在不同温度下进行单元表征，并获得lib文件；在这些lib文件下综合并分析电路的功耗，建立该电路温度‑模块功耗表格；在初始温度下，将电路各模块的功耗输入到热仿真工具HotSpot中进行热电耦合仿真，获得各模块的初始仿真温度；在表格中根据上一次仿真温度查表得到各模块的功耗，并再次进行仿真，获得本次仿真温度；迭代上述步骤并计算相邻两次仿真获得的仿真温度的差值；根据是否迭代收敛及温度差重新设计电路、各模块的布局以及芯片封装的边界条件。本发明用于早期电路设计中获取可靠的芯片温度分布及布局优化等。