一种基于堆叠封装结构的半导体功率开关组件及其设计方法

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一种基于堆叠封装结构的半导体功率开关组件及其设计方法
申请号:CN202411085483
申请日期:2024-08-08
公开号:CN119070796A
公开日期:2024-12-03
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于堆叠封装结构的半导体功率开关组件及其设计方法,解决了现有开关组件中的功率器件难以满足开关的小型化的需求、杂散参数多、稳定性差的问题,具体是采用立体堆叠的封装方式代替传统的阵列式平铺,缩小封装尺寸,减小半导体功率器件的布线间距,引入的寄生杂散参数少,避免了因压接带来芯片受力不均匀导致稳定性差和封装尺寸大、安装不便的问题。本发明采用植球的层间互联工艺,通流能力强,电气连接可靠,保证了组件的绝缘性能并降低了工艺难度;采用铜框架的引线方式,散热性能好,工作稳定。
技术关键词
半导体功率器件 半导体功率开关 堆叠封装结构 续流二极管 芯片 焊盘 驱动单元 引线框架 开关组件 氮化铝陶瓷基板 金属线 开关模块 互联工艺 布线间距 阳极 高压 铜框架 驱动信号
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