一种存储芯片的命令序列测试方法及装置

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一种存储芯片的命令序列测试方法及装置
申请号:CN202411089950
申请日期:2024-08-09
公开号:CN118645145B
公开日期:2024-11-08
类型:发明专利
摘要
本发明适用于设备测试的技术领域,提供了一种存储芯片的命令序列测试方法及装置,所述存储芯片的命令序列测试方法包括:获取预设测试命令序列,所述预设测试命令序列包括多个测试温度下对应的读写操作;分别执行多个所述测试温度下对应的读写操作,并采集读写异常信息;所述读写异常信息包括位翻转、读写错误和数据丢失根据所述读写异常信息、所述读写异常信息对应的读写操作次序,构建异常概率模型;根据所述异常概率模型预测存储芯片的使用寿命时长。本发明通过多维度的测试方法和准确的异常概率模型,能够更全面、更精确地评估存储芯片的使用寿命。
技术关键词
异常信息 存储芯片 数学模型 因子 测试方法 命令 序列 参数 频率 周期 可读存储介质 处理器 跨度 终端设备 存储器 计算机 数据
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