可实现在片检测的DFB激光芯片及晶圆结构

本发明涉及半导体激光器技术领域，具体提供一种可实现在片检测的DFB激光芯片及晶圆结构，将激光芯片的波导层的两端设计为倾斜面，波导层可以采用直波导或者直波导与弯波导的组合，倾斜面将波导层内的光子反射或折射向波导层的上表面或下表面；将DFB激光芯片按照便于解理的排布方式进行排布，通过在晶圆的上方或下方观察倾斜面的出光情况，即可实现DFB激光芯片的在片检测。本发明通过倾斜面改变了波导层内光子的传输方向，无需进行解理，即可直接对DFB激光芯片进行在片检测，极大简化了DFB激光芯片的检测工艺，降低了物料、工时、成本的损耗。