一种具有负压关断功能的SiC MOSFET桥臂串扰抑制方法

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一种具有负压关断功能的SiC MOSFET桥臂串扰抑制方法
申请号:CN202411096683
申请日期:2024-08-12
公开号:CN119010548A
公开日期:2024-11-22
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种具有负压关断功能的SiC MOSFET桥臂串扰抑制方法,属于电力电子技术与电工技术领域。所述方法在SiC MOSFET的栅源极间并联带泄放功能的辅助三极管电路,通过在SiC MOSFET的关断瞬态来临之前抬升分压电容上的驱动负压至约为0V,缓解负压关断对SiC MOSFET带来的负向串扰恶化的问题。同时,利用分压电容为SiC MOSFET提供驱动负压而无需外加隔离的负压源,并通过三极管泄放电路泄放分压电容上的电压,让负向串扰电压尖峰在零压而不是负压的基础上开始下降,并使用辅助MOS管串联辅助电容,在主动功率管正常通断时,将辅助电容从电路的栅源极间断开,一定程度上缓解栅源极间等效电容变大带来的开通时间增长、开关损耗增大等问题,更好地抑制桥臂串扰问题。
技术关键词
关断功能 三极管 抑制桥臂串扰 功率管 驱动芯片 电压 栅源电容 栅极 MOS管 支路 电流 电阻 电力电子技术 二极管 泄放电路 辅助电路 分压电路
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