一种9T-SRAM单元、数据存取方法及芯片

本发明涉及静态随机存取存储器技术领域，具体提供了一种9T‑SRAM单元、数据存取方法及芯片，该9T‑SRAM单元包括七个NMOS管和两个PMOS管，通过调整字线WL、使能节点EN、读字线RWL、第一位线BL、第二位线BLB的电平状态可以进行相应的数据保持、写操作、读操作。本发明的一种9T‑SRAM单元相较6T‑SRAM单元而言，实现了读写分离，在进行读操作时增大了静态噪声容限以减小干扰；相较8T‑SRAM单元而言，配置有第三晶体管N3作为使能管，在进行数据保持时减小了漏电流以降低功耗；相较配置有更多晶体管的SRAM单元而言，具有较小的面积，成本较低。