一种实现高压自举的结构

本发明涉及一种实现高压自举的结构，可应用于高压驱动芯片中，解决了现有结构导通电阻大、成本高等问题。该发明结构内部至少包含两类晶粒，分别为第一类型晶粒和第二类型晶粒，其中，第一类型晶粒包含低压区、一个或一个以上的高压区，及介于高压区与低压区之间的隔离环，低压区的信号通过高压电平移位电路传递到高压区；第二类型晶粒也包含低压区、一个或一个以上的高压区，及介于高压区与低压区之间的隔离环，高压区与低压区之间具有寄生高压二极管。第一类型晶粒高压区的高侧参考电源焊盘、高侧参考地焊盘、高侧输出焊盘分别与第二类型晶粒高压区的高侧参考电源焊盘、高侧参考地焊盘、高侧输入焊盘通过封装打线一一连接。