一种去偏移电路

本申请涉及电路设计技术领域，特别是涉及一种去偏移电路，电路包括：M个去偏移单元、N个第二反相器，a1的输入端用于接收初始信号，ai的输入端与ai‑1的输出端连接，am包括第一反相器cm和延迟电路dm，c1的输入端用于接收初始信号，c1的输出端与d1的输入端连接，ci的输入端与di‑1的输出端连接，di的输入端与ci的输出端连接，b1的输入端与aM的输出端连接，bj的输入端与bj‑1的输出端连接，bN的输出端用于输出目标信号，在传统CMOS门级延迟电路的基础上，仅需要插入不受电压和温度影响的延迟电路，就可以有效抑制通路总体延迟随电源温度变化的变化幅度，从而提高去偏移电路延迟的稳定性。