惯性传感器芯片及其制造方法

本发明提供了一种惯性传感器芯片及其制造方法，其中制造方法包括：提供衬底和电连接晶圆；在衬底的一侧开设第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；在衬底开设凹槽的一侧键合硅晶圆层；在硅晶圆层远离衬底的一侧形成第四凹槽和第五凹槽；在硅晶圆层远离衬底的一侧制作电连接层；图形化刻蚀硅晶圆层以形成通气孔、第一惯性敏感结构和第二惯性敏感结构；将电连接晶圆与电连接层键合；在衬底上形成与第三凹槽相连通的调压孔；以密封调压孔。本申请通过开设与第三凹槽相连通的调压孔，能够使得开设过程中引入的颗粒物和杂质掉落于第三凹槽内，不会掉落于惯性敏感结构上，对惯性敏感结构的造成损坏。