半导体结构及其形成方法

方法包括在半导体衬底上形成集成电路器件、形成贯穿半导体衬底的通孔、以及形成围绕通孔的伪图案。伪图案包括具有第一图案密度的第一多个伪图案和第二多个伪图案。第一多个伪图案位于通孔和第二多个伪图案之间。第二多个伪图案具有不同于第一图案密度的第二图案密度。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。