衬底处理方法和衬底处理装置

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衬底处理方法和衬底处理装置
申请号:CN202411130004
申请日期:2024-08-16
公开号:CN119965117A
公开日期:2025-05-09
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种衬底处理方法及衬底处理装置,衬底处理方法用于以原子层为单位蚀刻形成在衬底上的薄膜,所述衬底处理方法包括:向腔室中的容纳衬底的处理空间供给改性气体以对薄膜的表面进行改性并形成具有第一厚度的改性膜的改性步骤;向处理空间供给前体以使前体被吸附到薄膜的改性表面上的表面吸附步骤;以及向吸附有前体的衬底供给热量以蚀刻薄膜的吸附有前体的改性表面的蚀刻步骤。表面吸附步骤和蚀刻步骤重复执行多次,直到蚀刻掉具有第一厚度的改性膜。
技术关键词
改性膜 乙酰丙酮 传送机器人 加热单元 气体 腔室 蚀刻工艺 蚀刻副产物 生成等离子体 蚀刻薄膜 容纳衬底 控制器 微波发生器 激光发生器 受限 红外灯
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