一种发热点自检测的碳化硅功率器件检测方法

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一种发热点自检测的碳化硅功率器件检测方法
申请号:CN202411133712
申请日期:2024-08-19
公开号:CN118641920B
公开日期:2024-12-17
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种发热点自检测的碳化硅功率器件检测方法,属于半导体功率器件检测技术领域,其具体包括:通过集成温度敏感元件、多源数据采集与融合技术,实时监测器件温度、环境及电性参数,构建精确的器件状态数据;利用深度学习算法处理热成像图,精准识别正常与异常发热区域,并结合电性参数定位发热点;构建多维度风险评估模型,量化评估发热风险,自动生成检测报告;通过实时反馈机制与智能决策系统,自动制定并实施最优控制措施,确保了碳化硅功率器件的安全稳定运行,提高了系统可靠性和维护效率。
技术关键词
碳化硅功率器件 风险评估模型 热点 智能决策系统 数据 深度学习算法 深度学习模型 相关性分析方法 自动特征提取 参数 半导体功率器件 温度敏感元件 模式识别 累积分布函数 红外热成像仪 报告 机器学习方法
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