基于总线和开关矩阵的硅衬底中介层结构

本发明公开了一种基于总线和开关矩阵的硅衬底中介层结构，属于集成电路芯片封装技术领域，本发明一种基于总线和开关矩阵的硅衬底中介层结构，该结构包括硅衬底中介层、功能芯片、MCU、开关矩阵、总线结构、TSV、微凸点、C4凸点、封装基板、封装球和电路板，其中，硅衬底中介层位于整个多层封装结构的中间层，在其上方安装有功能芯片、开关矩阵和MCU，并通过微凸点与硅衬底电连接；总线结构位于硅衬底中介层内，连接功能芯片、MCU和开关矩阵；TSV贯穿硅衬底中介层连接功能芯片与封装基板；封装基板位于硅衬底中介层的下方，通过C4凸点与硅衬底中介层相连，并通过封装球与电路板连接，本发明克服了现有技术中互联路径固定和复杂结构管理难。