碳化硅晶体管分立器件及其制备方法

本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种碳化硅晶体管分立器件及其制备方法，该器件包括铜框架的上方有SiC MOSFET芯片和SiC SBD芯片；铜框架的侧边有漏端子、源端子、开尔文端子和栅端子；漏端子与铜框架相连；其它端子与铜框架电气隔离；SiC MOSFET芯片的上表面有源极焊盘和栅极焊盘；源极焊盘包括第一、第二和第三源极焊盘；SiC SBD芯片的上表面有阳极焊盘；第一源极焊盘与阳极焊盘、第二源极焊盘与源端子、第三源极焊盘与开尔文端子、栅极焊盘与栅端子相连，使芯片形成反并联。本申请能减小SiC MOSFET的续流和开关损耗，降低成本，分散器件热耗，提高器件的散热能力，满足大功率场景的应用。