ESD保护电路、半导体芯片、基站和移动设备

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ESD保护电路、半导体芯片、基站和移动设备
申请号:CN202411365077
申请日期:2024-09-29
公开号:CN120033639A
公开日期:2025-05-23
类型:发明专利
摘要
本公开涉及ESD保护电路、半导体芯片、基站和移动设备。ESD保护电路包括:用于耦合到半导体芯片的I/O节点的第一节点;经由至少一个第一二极管耦合到第一节点的第一导电路径,第一导电路径被配置为处于第一电压电平,该第一电压电平高于或等于半导体芯片的第一供电电压的电压电平;经由至少一个第二二极管耦合到第一节点的第二导电路径。第二导电路径被配置为处于第二电压电平,该第二电压电平低于或等于半导体芯片的第二供电电压的电压电平,第二供电电压的电压电平低于第一供电电压的电压电平;第二节点,用于耦合到半导体芯片的接地节点或用以提供所述第二供电电压的半导体芯片的供电节点。
技术关键词
半导体芯片 导电路径 ESD保护电路 信号处理电路 电容器 电压 电平 节点 二极管 偏置电路 互补场效应晶体管 移动设备 电阻器 低压差调节器 电力 传输门 射频接收器 射频收发器
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