一种非对称量子垒半导体激光器及其应用

本发明公开了一种非对称量子垒半导体激光器及其应用，其中非对称量子垒半导体激光器包括：有源区，有源区两侧具有非对称的N侧量子垒区和P侧量子垒区，N侧量子垒区和P侧量子垒区采用同一种半导体材料，N侧量子垒区和P侧量子垒区同时调控激光器的载流子限制能力和光场分布；N侧量子垒区和P侧量子垒区可以具有不同的厚度，还可以具有不同的材料组分分布形式或不同的材料组分大小，N侧量子垒区和P侧量子垒区的厚度、材料组分分布形式、材料组分大小至少有一个物理参数不同。本发明提供的半导体激光器及其应用，可以提升量子垒对载流子的限制能力，提升半导体激光器的斜率效率，进而提升半导体激光器的电光转换效率和输出功率；还可以增加激光器的光场调控自由度，在保证薄的外延厚度的条件下，能够获得较大的近场尺寸，进一步提升半导体激光器的电光转换效率。