电磁辐照下静电放电保护的CMOS电路的效应分析方法

本发明公开了一种电磁辐照下静电放电保护的CMOS电路的效应分析方法，包括：根据ESD防护器件的参数进行建模得到几何结构模型，建立等效物理模型；利用有限元计算法对等效物理模型的网格结构进行剖分，以使得剖分后的等效物理模型保持收敛；根据剖分后的等效物理模型得到仿真等效电路模型；通过外加不断改变相关参数的电磁脉冲信号，根据相应模型分析仿真等效电路模型中ESD防护器件的载流子变化情况、电流密度分布情况以及温度分布情况，从而得到ESD防护器件的潜在失效位置；使得相关人员能够进行对应的可靠性加固；根据电磁脉冲信号的脉宽变化趋势和对应的峰值温度曲线，得到ESD防护器件的电热效应损伤，弥补了本领域相关技术的空白。